Memoria con 4 atomi

Inserendo 4 o 5 atomi di rame in nano cristalli di semiconduttore si conferisce ad essi la proprietà di memoria magnetica. La scoperta si deve a un gruppo di ricercatori del Los Alamos National Laboratory (Usa) e dell’Università di Milano-Bicocca. La loro pubblicazione è sulla rivista “Nature Nanotechnology”.

«L’aspetto più sorprendente – dice Sergio Brovelli, 34 anni, ricercatore del dipartimento di Scienza dei materiali a Milano-Bicocca – è che la risposta magnetica dei nano cristalli aumenta di oltre il cento per cento se questi sistemi sono irraggiati con luce ultravioletta o visibile e che questa foto magnetizzazione (cioè l’aumento di magnetizzazione sotto stimolo luminoso) persiste nel tempo per molte ore al buio, generando memoria magnetica sensibile a un processo di ‘scrittura ottica’».  

Di qui possibilità di applicazione in computer ottici.

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